Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 50. Costo): 156pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 18. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(mín.): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.83V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 15A, 650V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: NF-L, TO-264. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Spec info: TO-3PBL. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO–3PBL. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL21193. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 250V, 16A, TO-264. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Potencia: 200W

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementario (par) MJL21195. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL1302A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Función: Audio potente, baja distorsión armónica. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL4302A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Excelente linealidad de ganancia. Ganancia máxima de hFE: 80. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJW21195. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Fecha de producción: 201444 201513. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJW1302A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor bipolar de potencia. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, SOT23, 40V. Vivienda: SOT23. Voltaje colector-emisor VCEO: 40V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.25W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 75V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 250MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 30. Corriente máxima 1: 0.6A

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: UNI. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: 1 P. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: SMD 1P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1P. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1S. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 15V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1.2A. Marcado en la caja: 2F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Spec info: SMD '2F'. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, SOT23, 40V. Vivienda: SOT23. Voltaje colector-emisor VCEO: 40V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.35W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 60V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 300MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 100. Corriente máxima 1: 0.2A. Max, Voltaje IGBT VRSM: 300 MHz. Información: 0.35W. Serie: -55°C. MSL: +150°C

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB (SMD). C(pulg): SOT-23. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: UNI. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: 1AM. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Spec info: SMD 1AM. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 0.9A. Marcado en la caja: 2x. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código CMS 2X. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2L. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Marcado en la caja: 2 L. Equivalentes: MMBT5401LT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Spec info: Serigrafía/código SMD (código de fecha 2Lx). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD G1 (3S Fairchild). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 160V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1GM. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1GM. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de amplificador de alto voltaje (versión SMD del transistor MPSA42). Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Nota: 1D. Marcado en la caja: 1D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 240mW. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MMBTA92. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1D. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 5mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3EM. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 650 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C