Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Diodo CE: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 24A. Nota: serigrafiado J6812. Marcado en la caja: J6812. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corriente del colector: 17A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: DE ALTA FIDELIDAD. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: J4315O. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) FJL4215-O. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: monitor de 19 pulgadas. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: VEBO 6V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 5.5. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 300mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: J13007. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 28. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: J13007-1. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 39. Ganancia mínima de hFE: 26. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: J13007-2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 17. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: J13009. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 28. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: J13009-2. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 619. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 165 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: hFE 5000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) FP1016. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 0.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 0.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZT458. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZT849. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Corriente del colector: 24A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA hi-res (F). Ic (pulso): 36A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: 0.17...0.31us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(mín.): 180 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.95V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 10V

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1. Función: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Función: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 47. Ganancia mínima de hFE: 29. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: Transistor plano epitaxial . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126ML. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 160...320. Spec info: transistor complementario (par) HSB1109. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-5. Vivienda (según ficha técnica): TO-5. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 35...125. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V