Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 150mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Distribución de pines: 1. C(pulg): 1.5pF. Costo): 11pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) KSA733. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 150mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Distribución de pines: 1. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) KSA733. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: D2012-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSB1366. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 20pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Spec info: 0.1...0.3us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 5A, 100V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: 12149-401-070. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Spec info: SD882-Y. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Modo de conmutación de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 4A, 60V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: b>750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: 0503-000001. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 600mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 285 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SW. Marcado en la caja: R1002. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 22k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 22k Ohms. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: SW. Marcado en la caja: R1003. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SW. Marcado en la caja: R1007. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Nota: 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 20mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 800 MHz. Función: FM-V/M/O. Ganancia máxima de hFE: 198. Ganancia mínima de hFE: 40. Marcado en la caja: 15.8k Ohms. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v

Transistor NPN, 3A, 80V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: hFE 20...90. Nota: T32. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 11 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 210V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de alto voltaje para CRT de definición estándar. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 5.5. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.55pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de alto voltaje para CRT de definición estándar. Ganancia máxima de hFE: 7.5. Ganancia mínima de hFE: 5.5. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.25us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): TO-218-FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 4.5. Ic (pulso): 18A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 18. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 7V