Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13 MHz. Función: Transistor de potencia NPN bipolar de alta velocidad y alta ganancia. Ganancia máxima de hFE: 34. Ganancia mínima de hFE: 22. Ic (pulso): 10A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.28V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 12V

Transistor NPN, 4A, 500V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SMPS S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Spec info: alta velocidad. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corriente del colector: 1.2A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 5. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 200V, 70A, TO-3. Voltaje colector-emisor VCEO: 200V. Corriente del colector: 70A. Vivienda: TO-3. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 350W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(mín.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 9V. Resistencia B: Switching. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 83W. Costo): 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia. Tf(máx.): 160 ns. Tf(mín.): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 23W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: alto voltaje, alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 4A, 350V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 9 MHz. Función: S-L, SN. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 50A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUV20. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 125V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 8 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 CASE 221A. Tensión colector/emisor Vceo: 190V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Diseñado para aplicaciones de alta velocidad. Ic (pulso): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. RoHS: sí. Tf(máx.): 150 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Velocidad de conmutación rápida. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(mín.): 120ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 15A, 150V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Voltaje colector-emisor VCEO: 1000V. Corriente del colector: 15A. RoHS: sí. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUV48A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 7V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Aplicaciones: traspuesta

Transistor NPN, 5A, 400V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: alto voltaje, conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V