Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, 400V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: alto voltaje, conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 175W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUX48A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Disipación máxima Ptot [W]: 175W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Función: S. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: S-L. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 3A. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: S-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): SOT-82. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUX87P. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 25 MHz. Función: S-L. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 2. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 2A, 800V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2200V

Transistor NPN, 10A, 200V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 280V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 130pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) D45H11. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(mín.): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D44H11G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Corriente del colector: 10A. Tipo de transistor: NPN. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Diodo BE: NINCS. Costo): 90pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementario (par) D45H8. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D44H8G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: S-L, Low-sat. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. Spec info: transistor complementario (par) D45VH10. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 90 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SC-59. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10k Ohms. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: DTR.. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 24. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 24. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 0.2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 4.7k Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Transistor con resistencia de polarización incorporada. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD 33. Marcado en la caja: *33, P33, t33, w33. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Fecha de producción: 2014/49. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 18. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.03A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 47k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47k Ohms. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: 26. Spec info: serigrafía/código SMD 26. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, SC-72. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SC-72. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.3W. Resistencia BE: 47k+22k Ohms. Frecuencia máxima: 250MHz

Transistor NPN, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Corriente del colector: 100A. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Módulo de transistores Power Darlington NPN. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 300. Ic (pulso): 150A. Nota: Atornillado. Número de terminales: 4. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 225W. RoHS: sí. Spec info: Single Dual Emitter. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.25V. Velocidad: 7V