Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, ISOWATT-218, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ISOWATT-218. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BU508DFI. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 700V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 7 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 480V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-SN. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 330V/200V. Disipación máxima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 330V/ 200V. Disipación máxima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FH. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Cantidad por caja: 1. Spec info: TO-220FH

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 42 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 260 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ic (pulso): 10A. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Función: hFE 60...230, carcasa de plástico aislada. Spec info: tiempo de caída 0.8us

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BU941ZP. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 350V. Disipación máxima Ptot [W]: 155W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Nota: >300. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 350V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: tiempo de caída 625ns. Ganancia máxima de hFE: 3400. Ganancia mínima de hFE: 500. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Cantidad por caja: 1. Spec info: HV-POWER

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Corriente del colector: 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ic (pulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tecnología plana multiepitaxial de alto voltaje . Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.05us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Velocidad: 7V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Transistor de potencia de conmutación rápida de alto voltaje

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): TO-218-ISO. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 14. Ganancia mínima de hFE: 7. Ic (pulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 220 ns. Tf(mín.): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Transistor NPN, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218 ( SOT93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Transistor de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 14. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 22A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 210 ns. Tf(mín.): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Alta resolución . Ganancia máxima de hFE: 9. Ganancia mínima de hFE: 2.5. Ic (pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(mín.): 200 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: ISOWATT218. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Ganancia máxima de hFE: 6. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 15A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tf (tipo): 190 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, 700V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 57W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Nota: MONITOR. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Transistor NPN, 4A, 400V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: alto voltaje, conmutación rápida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(mín.): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V. Función: conmutación rápida de alto voltaje, para conmutar fuentes de alimentación. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 14. Ganancia mínima de hFE: 6. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 150us. Tf(mín.): 80us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida para cambiar fuentes de alimentación

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 13.5. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 150 ns. Tf(mín.): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Material semiconductor: silicio. Función: SMPS S-L. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 9V. Cantidad por caja: 1. Spec info: Conmutación de alta velocidad

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida para fuente de alimentación de modo conmutado. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 50 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms