Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, 350V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247FP. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 33 Ohms

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corriente del colector: 9A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247FP. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 9A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VCE(sat) 5.0V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: adecuado para alimentar televisores SONY

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 13. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 25A. Nota: Tensión de aislamiento 2500V. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia. Tf(máx.): 0.5us. Tf(mín.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 13.5V. Función: Conmutación de alta tensión y alta velocidad. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 25A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.22us. Tf(mín.): 0.16us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 13.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR. Función: TV-HA, hi-res (F)

Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 25A. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia de silicio. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 13.5V. Número de terminales: 3. Función: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA Hi-re. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: (F)

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA Hi-re. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA Hi-re. Ic (pulso): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: SOT199 (F)

Transistor NPN, 12A, 800V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: SOT399 (F)

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 16A, 800V. Corriente del colector: 16A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 825V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Transistor NPN, 8A, 825V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 825V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Cantidad por caja: 1. Spec info: 4.8us

Transistor NPN, 10A, 825V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 825V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Nota: MONITOR. Cantidad por caja: 1. Spec info: 7.4us

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 1700V. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de potencia. Tipo de transistor: NPN. Nota: MONITOR 16KHz. Cantidad por caja: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)