Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.2A, 30 v. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF-A. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BFU590G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 24V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 8.5GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) BFV421

Transistor NPN, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-72. Vivienda (según ficha técnica): TO-72. Tensión colector/emisor Vceo: 10V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.6GHz. Función: VHF-UHF-A. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Vivienda: TO-50. Corriente del colector: 0.025A. Vivienda (según ficha técnica): TO-50-3. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Resistencia B: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB (SMD). C(pulg): TO-50. Diodo CE: componente montado en superficie (SMD). ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3.2GHz. Función: Amplificador RF de banda ancha hasta rango GHz.. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Spec info: Transistor de RF plano

Transistor NPN, 1A, 100V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF/S. Nota: b>70. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF/HF/S. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF/HF/S. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 50V. Corriente del colector: 1.25A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 860 MHz. Función: UHF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.07W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 36V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 36V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 470 MHz. Función: UHF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 7.8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 40V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 860 MHz. Función: UHF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Interruptor de alimentación inteligente de lado alto . Equivalentes: ISP452. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-261AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: AS3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Costo): 8pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 35. Marcado en la caja: U8. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 60 ns. Tr: 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Spec info: serigrafía/código CMS U8. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: U8. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: U8. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. C(pulg): 90pF. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Controladores de potencia media, solenoides, relés y actuadores y módulos CC/CC. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: AR4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 1000 ns. Tr: 250 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD AR4. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(mín.): 500 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corriente del colector: 250mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 12V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 400 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 25. Marcado en la caja: B2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 18 ns. Tf(mín.): 12us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Spec info: serigrafía/código SMD B2

Transistor NPN, 1A, 120V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO39

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corriente del colector: 2.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 7A, 60V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia. Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V