Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 750. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 7us. Tf(mín.): 0.9us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDW84C

Transistor NPN, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Marcado del fabricante: BDW93C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 20 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 80W. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Función: transistor complementario (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 33W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW93C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Ganancia máxima de hFE: 750. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 2.5V. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 70W. Frecuencia máxima: 20MHz. Número de terminales: 3. Función: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementario (par) BDX34C

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220-F. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 20W. Frecuencia máxima: 20MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia máxima de hFE: +150°C. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistores Darlington de potencia complementaria. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 60W. Frecuencia máxima: 20MHz. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: transistor complementario (par) BDX54C. Función: amplificador de audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO3. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Material semiconductor: silicio. Función: fuente de alimentación de modo conmutado. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: NINCS. Td(apagado): 3.5us. Td(encendido): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Costo): 3.5pF. Material semiconductor: silicio. FT: 1100 MHz. Función: TV-IF. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Resistencia B: transistor NPN. Resistencia BE: RF-POWER. C(pulg): 25V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Función: TV-IF-reVHF. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BF240. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 2pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BF421. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Spec info: transistor complementario (par) BF423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 5.5pF. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: VID-L. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: TO-93