Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: VID-L. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 300mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: VID-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Spec info: TO-93. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: DA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 60 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 25mA, 15V. Corriente del colector: 25mA. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF-V M/O. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 1V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Spec info: serigrafía/código SMD. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 50mA, 275V. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 275V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90MHz. Identificación (diablillo): 300mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 7W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 700 MHz. Función: VHF TV-IF. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 35. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 3V

Transistor NPN, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corriente del colector: 150mA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7GHz. Función: Transistor de banda ancha VHF/UHF-A de 7 GHz. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 80. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Velocidad: 2V

Transistor NPN, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corriente del colector: 200mA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7GHz. Función: Para amplificador de antena VHF/UHF y aplicaciones de comunicación RF. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Número de terminales: 4. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 3V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143B. Tensión colector/emisor Vceo: 10V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8GHz. Función: UHF wideband transistor. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: V3%. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código CMS V3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143B. Tensión colector/emisor Vceo: 10V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8GHz. Función: UHF wideband transistor. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: %MW. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW (total 380mW). RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD MW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: VID-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corriente del colector: 80mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Tensión colector/emisor Vceo: 12V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 0.9pF. Costo): 0.28pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8GHz. Función: UHF wideband transistor. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 70. Marcado en la caja: RC. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 580mW (total 380mW). RoHS: sí. Spec info: RC de serigrafía/código SMD. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 2V

Transistor NPN, 0.3A, 100V. Corriente del colector: 0.3A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Nota: Tc.=115°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Spec info: transistor complementario (par) BFQ252. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corriente del colector: 0.15A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF-A. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 36V. Corriente del colector: 1.25A. Tensión colector/emisor Vceo: 36V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 175 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 210mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 210mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alta frecuencia. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: R7s. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 15V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 5GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Corriente del colector: 0.045A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 0.64pF. Costo): 0.23pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5GHz. Función: Transistor de banda ancha de 5 GHz (UHF-A). Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 70. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.28W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 1.2pF. Costo): 0.6pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5GHz. Función: Transistor de banda ancha de 5 GHz (UHF-A). Ganancia máxima de hFE: 135. Ganancia mínima de hFE: 65. Nota: serigrafía/código SMD P2P. Marcado en la caja: P2p. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Velocidad: 2V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 45mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 45mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alta frecuencia. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: GFs. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 15V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 5GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.28W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corriente del colector: 35mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 12V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 6GHz. Función: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Ganancia máxima de hFE: 90. Ganancia mínima de hFE: 40. Marcado en la caja: R2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Spec info: SMD R2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Velocidad: 2V

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-37 ( TO-50 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-37 ( TO-50 ). Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5GHz. Función: Amplificador RF hasta rango GHz para amplificador de antena.. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 700W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de RF plano . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Velocidad: 2.5V