Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, 115V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD246C. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218AB. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 40A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD250C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD250C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, SOT-82, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: SOT-82. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 22V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 45V, 4A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): SOT-32. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD440. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 80V, SOT32. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Vivienda: SOT32. Polaridad: NPN. Potencia: 36W. Tipo: Potencia. Voltaje de base coleccionista VCBO: 80V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 3MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 15. Corriente máxima 1: 4A. Serie: BD

Transistor NPN, 4A, soldadura de PCB, TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Marcado del fabricante: BD441G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD649. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD677. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD677A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD677AG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT32, 80V. Vivienda: SOT32. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Tipo: transistor Darlington. Polaridad: NPN. Potencia: 40W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 80V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 750. Corriente máxima 1: 4A. Serie: BD679

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD680A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.8V

Transistor NPN, 100V, 4A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD681G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 80V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD809G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100V, 15A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 90W

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD912. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, SOT223, 60V. Vivienda: SOT223. Voltaje colector-emisor VCEO: 60V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 5W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 60V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 15. Corriente máxima 1: 3A. Serie: BDP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP949. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C