Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 25pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP 5516. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCP52-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH-10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP56/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCP53-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH-10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 60 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: XGs. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 10k Ohms. Resistencia BE: 10k Ohms. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Transistor con resistencia de polarización incorporada. Ganancia mínima de hFE: 70. Marcado en la caja: XCs. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 1V. Spec info: serigrafía/código CMS XC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: EF. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Nota: >420. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BCW60RC. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: U1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 125V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Transistor NPN, Aplicaciones y conmutación de AF. Ganancia máxima de hFE: 63. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: EKs. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.9V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCX42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: bM. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: amplificadores de audio y video. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 1.5A. Marcado en la caja: BH. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD BH

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: amplificadores de audio y video. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 63. Ic (pulso): 1.5A. Nota: serigrafía/código SMD BK. Marcado en la caja: BK. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCX53-10

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BL. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN. Nota: serigrafía/código SMD BL. Marcado en la caja: BL. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCX53-16

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: AK*. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.34W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Vivienda (norma JEDEC): TO-206AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BCY59-9. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 3A, 60V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 18.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126 plastic. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Amplificadores de audio y aplicaciones. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD139. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD140