Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1F. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1F. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-363 ( SC-88 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-363. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: DUAL NPN & PNP. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 13. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/SMD código 13. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP & NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SC-88, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SC-88. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: par de transistores NPN y PNP. Vivienda (norma JEDEC): SOT-363. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 13. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.22W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 250. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.225W. Spec info: serigrafía/código SMD 1G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1g. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 1K. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Resistencia B: transistor para aplicaciones de baja potencia. Diodo BE: NPN. Resistencia BE: SOT23. C(pulg): 0.25W. Costo): 30V. Diodo CE: 30V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1g. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1g. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1Ls. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1L. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SC-70, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SC-70. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): SOT-323. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Spec info: SMD 2G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 22pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Ganancia máxima de hFE: 375. Ganancia mínima de hFE: 85. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: CAC. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD CAC. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 22pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Ganancia máxima de hFE: 375. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: CDC. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD CDC. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), TSSOP6, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSSOP6. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: par de transistores NPN y PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: M1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP54/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP51-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP 5516. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP52-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH-10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP56/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP53-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH-10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BH. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C