Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 90. Ic (pulso): 0.2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) BC556A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.09V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 0.2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) BC556B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.09V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 0.2A. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC546B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.5W

Transistor NPN, 65V, 0.1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 65V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.5W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 90. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC557A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) BC557B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): TO-226. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 270. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) BC557C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC558B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC548B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO92, 30V. Vivienda: TO92. Voltaje colector-emisor VCEO: 30V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.625W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 30V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 300MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 300. Corriente máxima 1: 0.1A. Serie: BC

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC548C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC549C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC560B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC560C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): 9pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) BC560C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BC640. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V