Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: BC237/25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC237BG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 120V, TO-39. Corriente del colector: 0.5A. Voltaje colector-emisor VCEO: 120V. Vivienda: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.85W. Frecuencia máxima: 120MHz

Transistor NPN, 60V, 0.5A, TO-39. Voltaje colector-emisor VCEO: 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.85W. Frecuencia máxima: 120MHz

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 210 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.63W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-92, TO-92, 45V, TO92, 45V. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Vivienda: TO92. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. RoHS: sí. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) BC327-40. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.625W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 50V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 170. Corriente máxima 1: 0.8A. Max, Voltaje IGBT VRSM: 100 MHz. Información: 0.625W. Serie: BC. MSL: +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-40. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 210 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.63W

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-40. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.63W. Frecuencia máxima: 100MHz

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 63. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 375. Ganancia mínima de hFE: 85. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC369. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 160000. Ganancia mínima de hFE: 8000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: VEBO 12V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: propósito general. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 200MHz. Ganancia mínima de hFE: 30000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC516. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC517. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC517. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C