Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC548C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC549C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC560B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC560C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-92, soldadura de PCB, 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda: soldadura de PCB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC550C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementario (par) BC640-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 50pF. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementario (par) BC640-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639-16. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639-16. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 6As. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Spec info: SMD 6As. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Spec info: SMD 6A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 6B. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 6B. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT23, 45V. Vivienda: SOT23. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.31W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 50V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 250. Corriente máxima 1: 0.8A. Serie: BC

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 6C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: SMD 6C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6g. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6g. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C