Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: B=1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF/SL. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB764. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SD871. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/600V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Io-sat. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 7A. Marcado en la caja: D882. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB772. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 330V/200V. Disipación máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: hFE 4000. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Spec info: TO-126. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Corriente del colector: 0.02A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: amplificador de salida AF. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 340. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220C. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Fast-switching. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: D13009K. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: D209L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(mín.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-323, 40mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-323. Corriente de colector Ic [A], máx.: 40mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alta frecuencia. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 5.5V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2.4GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Resistencia B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-18. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 80pF. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: para aplicaciones de conmutación y potencia media. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: transistor complementario (par) BC161-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Resistencia B: transistor para aplicaciones de baja potencia. Resistencia BE: TO39

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 500. Ganancia mínima de hFE: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 500. Ganancia mínima de hFE: 240. Nota: ( E,C,B ). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V