Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor paquete aislado. Nota: >1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 25pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1202. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores de silicio planos epitaxiales . Tf(máx.): 20 ns. Tf(mín.): 20 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 6V. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: transistor complementario (par) 2SB1204

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia máxima de hFE: 5000. Ganancia mínima de hFE: 2000. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V. Spec info: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Amplificador de salida de desviación horizontal de TV en color.. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1274

Transistor NPN, 4A, 80V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor paquete aislado. Ganancia mínima de hFE: 3000. Nota: =3000. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1342

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/C, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/650V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 1500V. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Función: S-L TV/HA(F)

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: CC/CC Io-sat. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corriente del colector: 2.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 35pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: D2012. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220FP. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V/60V. Disipación máxima Ptot [W]: 30W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 30W. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Corriente del colector: 3.5A. Vivienda: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 3A, 100V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: Io-sat. Nota: >500. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 600V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TOP-3L. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Óptima para salida Hi-Fi de 120 W. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 3500. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington tipo planar de triple difusión . Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 1.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corriente del colector: 0.3A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 3A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50MHz. Función: Amplificación de potencia con alta corriente directa. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: 2.37k Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( MT-100 ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1560. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Función: S Io-sat. Nota: serigrafía/código SMD DT. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1561

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 6A. Marcado en la caja: D2394. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V