Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V/80V. Disipación máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Función: propósito general. Nota: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: MONITOR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB631K. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-236, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-236. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 700mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcado en la caja: D667. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB647. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Epitaxial. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, 100V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB682. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: amplificador de potencia de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB688. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Corriente del colector: 0.7A. Vivienda: TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF/SL. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB764. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SD871. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/600V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Io-sat. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 7A. Marcado en la caja: D882. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB772. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: hFE 4000. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Spec info: TO-126. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Corriente del colector: 0.02A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: amplificador de salida AF. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 340. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W