Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: D2012. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1366. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 80V, 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Corriente del colector: 3A. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Función: transistor paquete aislado. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Corriente del colector: 3.5A. Vivienda: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TOP-3L. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Óptima para salida Hi-Fi de 120 W. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 3500. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington tipo planar de triple difusión . Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 1.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corriente del colector: 0.3A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: IBp=2A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50MHz. Función: Amplificación de potencia con alta corriente directa. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: 2.37k Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1560. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( MT-100 ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1560. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Función: S Io-sat. Nota: serigrafía/código SMD DT. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1561. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 6A. Marcado en la caja: D2394. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1588. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1588. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 110V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1625. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA Hi-r. Nota: Vce(sat)=5V. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: TO-220. Ganancia máxima de hFE: 12000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Marcado en la caja: D2589. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1659. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1.1us. Tf(mín.): 1.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Ic (pulso): 5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 7A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 22W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN