Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA (aislado). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA (aislado). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corriente del colector: 3.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Ganancia máxima de hFE: 15. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 17A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/SL. Nota: hFE 100...200. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Ic (pulso): 4A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1123S. Marcado en la caja: DF. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio plano epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(mín.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/código SMD DF. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 60V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Nota: hFE 200...400. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/SMD código DF, transistor complementario (par) 2SB1123T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Ic (pulso): 6A. Marcado en la caja: DG. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores de silicio planos epitaxiales . Tf(máx.): 35 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 6V. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/código SMD DG

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara. Ganancia máxima de hFE: 4000. Ganancia mínima de hFE: 3000. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: DI. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V. Velocidad: 10V. Spec info: serigrafía/código SMD DI, transistor complementario (par) 2SB1126. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Nota: hFE 3000...4000. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Tipo de transistor: NPN. Función: Alta corriente CC, controladores de relé, control de regulación de voltaje. Spec info: serigrafía/código SMD DJ

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/código SMD DK, hFE 120...200

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 180. Identificación (diablillo): 8A. Marcado en la caja: DK. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/código SMD DK

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Corriente del colector: 3.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: transistores bipolares. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: DAQ. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V. Spec info: Serigrafía/código SMD DAQ

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Identificación (diablillo): 12A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1135. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Identificación (diablillo): 15A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1136. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-E-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF/E (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1186A