Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara. Ganancia máxima de hFE: 4000. Ganancia mínima de hFE: 3000. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: DI. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Spec info: serigrafía/código SMD DI, transistor complementario (par) 2SB1126. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Alta corriente CC, controladores de relé, control de regulación de voltaje. Nota: hFE 3000...4000. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Spec info: serigrafía/código SMD DJ. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía/código SMD DK, hFE 120...200. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--PCP. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 180. Identificación (diablillo): 8A. Marcado en la caja: DK. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía/código SMD DK. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Corriente del colector: 3.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: transistores bipolares. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: DAQ. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD DAQ. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Identificación (diablillo): 12A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1135. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Identificación (diablillo): 15A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1136. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-E-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF/E (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1186A. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor paquete aislado. Nota: >1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1202. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1204. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores de silicio planos epitaxiales . Tf(máx.): 20 ns. Tf(mín.): 20 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220ML. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: conductor . Ganancia máxima de hFE: 5000. Ganancia mínima de hFE: 2000. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Amplificador de salida de desviación horizontal de TV en color.. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 4A, 80V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor paquete aislado. Ganancia mínima de hFE: 3000. Nota: =3000. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1342. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/C, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/650V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 1500V. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L TV/HA(F). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: CC/CC Io-sat. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corriente del colector: 2.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN