Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Costo): 200pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: sustituto

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: sustituto

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SD1279. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 600V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, M37/J, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M37/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Disipación máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: 2.32k Ohms. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Io-sat. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Planar triple difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms

Transistor NPN, soldadura de PCB, M46/J, 6A, 600V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M46/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/600V. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): NPN. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1.5 kV. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/600V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: NPN. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 600V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M37/J, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M37/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor Darlington NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: aislado