Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 232. Ganancia mínima de hFE: 50. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/35V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, A21/B, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: A21/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 15V/10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.12W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1000V/500V. Disipación máxima Ptot [W]: 22W

Transistor NPN, 0.2A, 60V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 220 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 20V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: lo-sáb . Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Amplificador de potencia de audio, convertidor CC-CC. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB817. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: inversores de alta velocidad, convertidores, low-sat. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 15A. Marcado en la caja: D1062. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB826. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Costo): 200pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: sustituto. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Spec info: sustituto. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB892. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SD1279. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 600V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, M37/J, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M37/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Disipación máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: 2.32k Ohms. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Io-sat. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V