Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Función: NF/L. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1695

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Función: NF/L. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1695

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Tecnología: Transistor planar triple difuso NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 550V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 6 MHz. Función: Transistor de conmutación de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SC-71. Vivienda (según ficha técnica): SC-71. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Costo): 14pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 2.5A. Marcado en la caja: 12.9k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 80 ns. Tf(mín.): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1770. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10mA, 1500V. Corriente del colector: 10mA. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Función: enfoque dinámico, conmutación de alto voltaje. Spec info: TO-220FI (Forming)

Transistor NPN, 10mA, 1800V. Corriente del colector: 10mA. Tensión colector/emisor Vceo: 1800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Función: enfoque dinámico. Spec info: TO-220FI

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 25pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Función: Io-sat. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Nota: serigrafía/código SMD DK. Marcado en la caja: DK. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1797. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, 1200V. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5.5 MHz. Función: Aplicaciones de enfoque dinámico de TV. Nota: Aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-220F

Transistor NPN, 5A, 80V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HI-FI NF-E. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Nota: (F). Spec info: transistor complementario (par) 2SA1803

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: MONITOR. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Compatibilidad: CVM4967A. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Display-HA, Hi-res. Ganancia máxima de hFE: 25. Ic (pulso): 16A. Equivalentes: SAMSUNG 891 464744AA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Triple Difusión . Tf(máx.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Display-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor VGA

Transistor NPN, 7A, TO-3FP, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 7A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Vivienda (según ficha técnica): TO3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 16A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf (tipo): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 20pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1837. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 800V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 220pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 7A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Display-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR (F). Diodo CE: sí

Transistor NPN, 7A, 800V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Display-HA. Nota: MONITOR. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V