Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: HA, Hi-res. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: Rbe 60 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: HA, Hi-res. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: HA, Hi-res. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 180V. Disipación máxima Ptot [W]: 130W

Transistor NPN, 15A, 800V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: HA hi-def.. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: Aplicaciones de controladores de alto voltaje. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Spec info: 500/2200ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 0.065A, 10V. Corriente del colector: 0.065A. Tensión colector/emisor Vceo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF. Spec info: 9000MHZ. Potencia: 200mW. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Velocidad: 1.5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: 2SD4106M. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Velocidad de conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: C4107. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 14A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.7A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 270 MHz. Función: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SMV-5, 0.15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMV-5. Corriente de colector Ic [A], máx.: 0.15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor bipolar dual NPN. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 5. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 80 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 3A, 800V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Función: (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Función: Transistor de potencia de conmutación. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: Serie HFX. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: S-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1633. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corriente del colector: 0.3A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de banda ancha VHF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Transistor NPN de alto voltaje para aplicaciones de audio y de uso general.. Ganancia mínima de hFE: 60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1668. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor paquete aislado. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1671. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, 140V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor paquete aislado. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1672. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V

Transistor NPN, 15A, 160V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor paquete aislado. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1673. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: SMPS. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1695. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1695. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V