Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), 180V, TO3P-3L. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Vivienda (según ficha técnica): TO3P-3L. Costo): 250pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 50. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad. Tecnología: Transistor plano epitaxial NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1386A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Corriente del colector: 700mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SC-43B, TO92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Material semiconductor: silicio. FT: 250MHz. Función: Hi-beta. Ganancia máxima de hFE: 3200. Ganancia mínima de hFE: 800. Ic (pulso): 1A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.14V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 15V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1500V/800V. Disipación máxima Ptot [W]: 150W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor NPN, 0.5A, 80V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Aplicaciones de accionamiento de baja frecuencia. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Nota: hFE 140...280. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1480

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/18V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, TO-220FP, TO-220F. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Función: S-L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/16V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.2A, 200V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Material semiconductor: silicio. FT: 400 MHz. Función: Hi-def. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1476

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 550V. C(pulg): 4pF. Costo): 10pF. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126LP. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Resistencia B: 22. Resistencia BE: 22. Material semiconductor: silicio. FT: 260 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Función: hFE 800. Cantidad por caja: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 75V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Resistencia B: 47. Resistencia BE: 10. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: TV-ZF-E. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): MF20 TO220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 50pF. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Ganancia mínima de hFE: 500. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Controlador para solenoide y motor. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PB. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Marcado en la caja: C3856. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1492

Transistor NPN, 5A, 800V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR