Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SC3157. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1265. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Corriente del colector: 0.02A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 660 MHz. Función: TV-ZF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: propósito general. Marcado en la caja: C3198. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 150mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 70. Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Spec info: reemplazo KTA1267. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Hi-Beta, lo-sat.. Ganancia mínima de hFE: 500. Nota: 9mm. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1294. Tipo de transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 40. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 17A, 230V. Corriente del colector: 17A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1295. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: NF-E HI-FI. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1302. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1303. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: transistor paquete aislado. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 70. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1306. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 8A. Marcado en la caja: C3303. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: NF/SL. Ic (pulso): 8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 8V

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Nota: hFE 140...280. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1319. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 500V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 250 MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1360. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: hFE 15...30. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: hFE 20...40. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 7V