Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Salida de vídeo. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Triple Difusión . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 35V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 470 MHz. Función: UHF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 175 MHz. Función: VHF-Tr/E. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: S-L. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D18/C, 700mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D18/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/32V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldadura de PCB, E-33, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: E-33. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA940. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 27 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 900mW. Spec info: transistor complementario (par) 2SA966. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA968. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Bajo nivel de ruido, amplificador de audio.. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 350. Marcado en la caja: C2240BL. Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA970BL. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: C224GR. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA970GR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: VID-L. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-236, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-236. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100MHz. Función: Conmutación de alto voltaje, amplificador de potencia AF. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1011. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 160. Marcado en la caja: C2383 Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1013. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V