Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C1815Y. Número de terminales: 3. Temperatura: +120°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1015Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 1200. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: C1841. Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: amplificador de audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 580. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Velocidad: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126B-A1. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 20pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 340. Ganancia mínima de hFE: 85. Ic (pulso): 1.5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 3.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3.5A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SC1875. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 500V. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: C1881. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 30W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Costo): 3pF. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Salida de vídeo. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Triple Difusión . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 35V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Material semiconductor: silicio. FT: 470 MHz. Función: UHF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 175 MHz. Función: VHF-Tr/E. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Material semiconductor: silicio. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: S-L. Ganancia mínima de hFE: 30. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D18/C, 700mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D18/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/32V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldadura de PCB, E-33, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: E-33. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Material semiconductor: silicio. FT: 27 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W