Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-202, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-202. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: TV-IF. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: 9 mm de altura. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 70V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, 500V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor Darlington NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M18/J, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M18/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 1.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 55V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/35V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 8A, 400V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V/40V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, TO-92, soldadura de PCB, 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda: soldadura de PCB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V/40V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C1710. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220C, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 15mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 70V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C1815Y. Número de terminales: 3. Temperatura: +120°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1015Y. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V