Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Bajo nivel de ruido, amplificador de audio.. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 350. Marcado en la caja: C2240BL. Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA970BL. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: C224GR. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA970GR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 35. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: VID-L. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-236, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-236. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100MHz. Función: Conmutación de alto voltaje, amplificador de potencia AF. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1011. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V/100V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 160. Marcado en la caja: C2383 Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1013. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 180. Nota: serigrafía/código SMD BQ. Marcado en la caja: BQ. Número de terminales: 3. Temperatura: +155°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1037. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 400mV

Transistor NPN, soldadura de PCB, P22/U, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: P22/U. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: CSC2342. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: altura 5mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 5A. Marcado en la caja: C2500. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 90V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 17A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 200V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D6/C, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D6/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: hFE 100...200. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corriente del colector: 1.2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 19pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 155 MHz. Función: HF. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 2.5A. Marcado en la caja: C2690A Y. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1220A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.8pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Ic (pulso): 800mA. Nota: 9mm. Marcado en la caja: C2705. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1145. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD DG. Marcado en la caja: DG. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1163. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 300mV