Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: propósito general. Marcado en la caja: C3198. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 150mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 70. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Spec info: reemplazo KTA1267. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Hi-Beta, lo-sat.. Ganancia mínima de hFE: 500. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 7V. Número de terminales: 3. Nota: 9mm. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 250pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 40. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 17A, 230V. Corriente del colector: 17A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1295

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: NF-E HI-FI. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1301

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: NF-E HI-FI. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1303

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: transistor paquete aislado. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 70. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1306

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 8A. Marcado en la caja: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 7V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ic (pulso): 8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 8V. Cantidad por caja: 1. Función: NF/SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Tipo de transistor: NPN. Nota: hFE 140...280. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1319

Transistor NPN, 5A, 500V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Material semiconductor: silicio. Función: UHF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. Función: 250 MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1360

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Función: hFE 15...30. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Función: hFE 20...40. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 7V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Costo): 1.7pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 0.2A. Marcado en la caja: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: 9 mm de altura. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Función: Video, Hi-def. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V/100V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 2.6pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 0.2A. Marcado en la caja: C3503-D. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 7W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Amplificador de voltaje de audio, definición CRT, salida de vídeo. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1381. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS