Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. C(pulg): 8pF. Costo): 4pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Construcción de matriz plana epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB

Transistor NPN, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Voltaje colector-emisor VCEO: 40V. Corriente del colector: 0.2A. Marcado del fabricante: 2N3904. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.625W. Frecuencia máxima: 300MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. C(pulg): 30pF. Costo): 6.5pF. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 0.9A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. C(pulg): 10pF. Costo): 4pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia máxima de hFE: 900. Ganancia mínima de hFE: 300. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Función: Preamplificador HI-FI de bajo ruido. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Corriente del colector: 0.4A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.2GHz. Ganancia máxima de hFE: 210. Ganancia mínima de hFE: 70. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 4pF. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 4.5V. Función: Preamplificador HI-FI de bajo ruido. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 80. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5551. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 160V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 50A. Número de terminales: 2. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2N5884. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N5886G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 12A, 100V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 750. Nota: b>750. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, M135, 36V. Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): M135. Tensión colector/emisor Vceo: 36V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 175 MHz. Función: VHF-O Tr. Pd (disipación de potencia, máx.): 12W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: SD1012. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: hFE 750...180000. Ganancia máxima de hFE: 18000. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 40A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Peso: 11.8g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Función: Aplicaciones de amplificador y conmutación.. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2N6491. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 90V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2N6491

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 15mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N6488G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.075W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 20. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2N6520. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, 50V. Corriente del colector: 0.6A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-202, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-202. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 70V/45V. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 0.1A, 210V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 210V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 7.9W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 8-726-720-00

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 700mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V/40V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V/60V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Nota: hFE 100..200. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SA673A