Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Costo): 190pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: HA, Hi-res. Ic (pulso): 28A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: fH--64KHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Función: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 16A. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensión de saturación VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PFM. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Salida de deflexión horizontal. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: C5449. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Corriente del colector: 70mA. Vivienda (según ficha técnica): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tensión colector/emisor Vceo: 10V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7GHz. Función: VHF/UHF. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 90. Marcado en la caja: LN. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. Spec info: Serigrafía/código SMD LN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Corriente del colector: 17A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TOP-3L. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Samsung Monitor 19 inch. Ganancia máxima de hFE: 12:1. Ganancia mínima de hFE: 6. Ic (pulso): 30A. Marcado en la caja: C5583. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: Tipo mesa de triple difusión . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 15A, 800V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hi-res, monitor 19. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Resistencia BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 11. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 36A. Marcado en la caja: C5696. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: alta velocidad, CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 7. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5698. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-251, 7.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-251. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 400 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 400 MHz. Función: Convertidor DC-DC, fuente de alimentación TFT. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 7.5A. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA2039. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 35 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.135V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 330 MHz. Función: Convertidor DC-DC, fuente de alimentación TFT. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 11A. Marcado en la caja: C5707. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA2040. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 25 ns. Tf(mín.): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.11V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 330 MHz. Función: Convertidor DC-DC, fuente de alimentación TFT. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 11A. Marcado en la caja: C5707T. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA2040FA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio plano epitaxial . Tf(máx.): 25 ns. Tf(mín.): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.11V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 21A, 700V. Corriente del colector: 21A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, 800V. Corriente del colector: 20A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Transistor de silicio plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: C5803. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corriente del colector: 22A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): 2-21F2A. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: Para desviación horizontal de alta resolución, HD TV. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 44A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corriente del colector: 23A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): 2-21F2A. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: Para desviación horizontal de alta resolución, HD TV. Ganancia máxima de hFE: 55. Ganancia mínima de hFE: 4.5. Ic (pulso): 46A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 210W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.15us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Ganancia máxima de hFE: 15. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 40A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3SG. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 85pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 195 MHz. Función: Controladores de relés, controladores de lámparas, controladores de motores.. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: C6082. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 23W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA2210. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.03A, 15V. Corriente del colector: 0.03A. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 600 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.12W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V/30V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/12V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/12V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W