Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Función: MONITOR HA,Hi-res. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: C5129. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: tiempo de caída 0.15..03us (64kHz). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: HA, Hi-res. Nota: MONITOR. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F2A ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 40A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: Monitor -HA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: funcionamiento rápido, para desviación horizontal (TV). Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5149. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Tipo MESA de triple difusión . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.5us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VCE(sat) 3V max. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Spec info: TO-3P (Plastic). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: TV, SL. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 50. Marcado en la caja: C5171. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1930. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.16V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: DE ALTA FIDELIDAD. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1940. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5198 O. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1941. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5200 (Q). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1943. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 230V, 15A, TO-264. Voltaje colector-emisor VCEO: 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Frecuencia máxima: 30MHz. Potencia: 150W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HI-FI. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 5. Marcado en la caja: C5242. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1962. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TOP-3L. Tensión colector/emisor Vceo: 1700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 12:1. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo mesa de triple difusión . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 12A, 800V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Display-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 43 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Para desviación horizontal de alta resolución. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Spec info: Display-HA MONITOR. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 20A, 800V. Corriente del colector: 20A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Spec info: 8.729.033.99. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 35A. Marcado en la caja: C5302. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: velocidad rápida (tf=100ns tipo). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 20mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1987. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Corriente del colector: 150mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92S. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ic (pulso): 400mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Spec info: transistor complementario (par) 2SA608. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Función: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 4.3. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: MONITOR Hi-res. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA de triple difusión . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Función: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic (pulso): 28A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: VCE(sat) max. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V