Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Planar triple difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 600V, 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Corriente del colector: 6A. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M31/J, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M31/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1.5 kV. Disipación máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 600V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, M37/J, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M37/J. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor Darlington NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: aislado. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA (aislado). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA (aislado). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corriente del colector: 3.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Ganancia máxima de hFE: 15. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 17A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/SL. Nota: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Ic (pulso): 4A. Nota: transistor complementario (par) 2SB1123S. Marcado en la caja: DF. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD DF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio plano epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(mín.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 2A, 60V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Nota: hFE 200...400. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía/SMD código DF, transistor complementario (par) 2SB1123T. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Ic (pulso): 6A. Marcado en la caja: DG. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD DG. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores de silicio planos epitaxiales . Tf(máx.): 35 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 6V