Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220C. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Fast-switching. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: D13009K. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: D209L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(mín.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-323, 40mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-323. Corriente de colector Ic [A], máx.: 40mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alta frecuencia. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 5.5V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2.4GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 80pF. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: para aplicaciones de conmutación y potencia media. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: transistor complementario (par) BC161-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 500. Ganancia mínima de hFE: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 500. Ganancia mínima de hFE: 240. Nota: ( E,C,B ). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: BC237/25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC237BG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39. Voltaje colector-emisor VCEO: 120V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.85W. Frecuencia máxima: 120MHz

Transistor NPN, 60V, 0.5A, TO-39. Voltaje colector-emisor VCEO: 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.85W. Frecuencia máxima: 120MHz

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 210 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.63W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-25. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO92, 45V. Vivienda: TO92. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.625W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 50V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 170. Corriente máxima 1: 0.8A. Serie: BC

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC337-40. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 210 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.63W

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V