Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 55pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1588

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1588

Transistor NPN, 6A, 110V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1625

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA Hi-r. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Velocidad: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Nota: Vce(sat)=5V

Transistor NPN, 80V, 3A, MT-3-A1. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: MT-3-A1. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 1.5W. Frecuencia máxima: 50 MHz

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: TO-220. Ganancia máxima de hFE: 12000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Marcado en la caja: D2589. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1.1us. Tf(mín.): 1.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1659

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Función: 2A. Ic (pulso): 5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 7A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 22W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-1, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-1. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V/80V. Disipación máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Función: propósito general. Nota: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 30W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D18/C, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D18/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V/20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SD551. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W

Transistor NPN, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB631K

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-236, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-236. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 700mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcado en la caja: D667. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Epitaxial. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB647