Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD139-10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-126 FULLPACK. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 10W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126 plastic. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 80V, 1.5A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 12.5W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126 plastic. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO126. Tensión colector/emisor Vceo: 375V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 3mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD179G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.03W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD237. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementario (par) BD238

Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD237G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 30W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD240C

Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 3A. Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 40W. Frecuencia máxima: 3MHz. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD242C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, 100V, 6A, TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD243C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD243C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) BD246C

Transistor NPN, 10A, 115V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) BD246C

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218AB. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 40A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD250C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) BD250C