Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: 1. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT64C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDV65BG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW42G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 85W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V, 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 15A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDW84C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 750. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW84C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 7us. Tf(mín.): 0.9us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW84D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, TO220, 100V. Vivienda: TO220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polaridad: NPN. Potencia: 80W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 100. Corriente máxima 1: 12A. Serie: BDW93

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor complementario (par) BDW94CF. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 33W

Transistor NPN, TO220, 100V. Vivienda: TO220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polaridad: NPN. Potencia: 70W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 750. Corriente máxima 1: 10A. Serie: BDX33

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220-F. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 20W. Frecuencia máxima: 20MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 750

Transistor NPN, TO220, 100V. Vivienda: TO220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polaridad: NPN. Potencia: 60W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 750. Corriente máxima 1: 8A. Serie: BDX53

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO3. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: fuente de alimentación de modo conmutado. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: NINCS. Td(apagado): 3.5us. Td(encendido): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 750V

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 25V, 0.1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 25V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Aplicaciones: RF-POWER. Frecuencia máxima: 400MHz

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1. Función: TV-IF-reVHF

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BF240. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BF421. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) BF423. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN