Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126 plastic. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD140-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO126. Tensión colector/emisor Vceo: 375V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 3mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD179G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.03W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD237. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD237G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V, 100V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementario (par) BD240C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 30W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 3A. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 40W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD242C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, 100V, 6A, TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD243C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD243C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda: TO220. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Tipo: Potencia. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 3MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 15. Corriente máxima 1: 6A. Max, Voltaje IGBT VRSM: 3 MHz. Información: NF-L. Serie: BD. MSL: 10A

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD246C. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 115V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD246C. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218AB. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 40A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD250C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD250C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, SOT-82, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: SOT-82. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 22V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V, 45V, TO-126. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Vivienda: TO-126. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD438. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): SOT-32. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD440. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V