Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 280V/150V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 600V, 10A, TO-3. Voltaje colector-emisor VCEO: 600V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 175W. Frecuencia máxima: 10MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 150

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 6 MHz. Función: TV-HA. Ganancia máxima de hFE: 20. Ganancia mínima de hFE: 12:1. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Resistencia B: Switching. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 60W. Costo): 400V

Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V, 200V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Voltaje colector-emisor VCEO: 200V. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 60W. Frecuencia máxima: 10MHz

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 175V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 12A, 375V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 375V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 12A, 400V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 6A, 375V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 375V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L TV-SN. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA/Monitor. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA/Monitor. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA/Monitor. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA/Monitor. Ganancia máxima de hFE: 7.3. Ganancia mínima de hFE: 4.2. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Spec info: Rbe 25 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(mín.): 300 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 13.5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV/Monitor. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Spec info: CTV-HA (aislado). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: SOT-430. Vivienda (según ficha técnica): SOT-430. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV/Monitor. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: CTV-HA. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 700V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corriente del colector: 2.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corriente del colector: 2.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA SMPS. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SMPS (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, ITO-218, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-218. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): SOT-199. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BU508AF. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 700V. Disipación máxima Ptot [W]: 34W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247. Voltaje colector-emisor VCEO: 1500V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-247. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Aplicaciones: traspuesta. Potencia: 125W

Transistor NPN, 8A, 700V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldadura de PCB, ISOWATT-218, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ISOWATT-218. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BU508DFI. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 700V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 7 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 480V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-SN. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V