Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de potencia de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: N83003. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 1000. Spec info: transistor complementario (par) STN93003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 215pF. Acondicionamiento: rollo. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de bajo voltaje. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 10A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.32V. Velocidad: 7V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 1000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Función: HIGH SWITCH. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: ISOWATT218. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Resistencia BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Función: conmutación, amplificador de audio. Spec info: transistor complementario (par) TIP107. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 2A, 60V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Transistor NPN, 4A, 80V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Costo): 2pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Nota: >1000. Cantidad por caja: 1. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP120. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP122. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: silicio. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) TIP127

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(pulg): TO-220. Costo): 200pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: +150°C. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Función: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: transistor complementario (par) TIP127G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP132. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 15000. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 4 v. Velocidad: 5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) TIP137

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Costo): 60pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor Darlington de potencia complementaria. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Transistor de potencia Darlington. C(pulg): 100V. Número de terminales: 3. Resistencia BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor Darlington de potencia complementaria. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Resistencia BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) TIP147T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 90W. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: transistor complementario (par) TIP2955. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: Bajo voltaje de saturación colector-emisor

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 24. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP32C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Fecha de producción: 1450. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 50A. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 125W. Frecuencia máxima: 3MHz. Spec info: transistor complementario (par) TIP36C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP35CG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Costo): 80pF. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100V, 6A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 2A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 400V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.75W. Frecuencia máxima: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 18A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Alta velocidad.. Ganancia máxima de hFE: 15. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 35A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 110pF. Material semiconductor: silicio. Función: Vbe(sat)1.5V. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: con resistencia de polarización Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 110pF. Material semiconductor: silicio. Función: Aplicaciones de salida de desviación horizontal de TV en color. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 15A. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: con resistencia de polarización Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS