Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Aplicaciones de salida de desviación horizontal de TV en color. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Vivienda (según ficha técnica): EMT6. Cantidad por caja: 2. Nota: serigrafía/código SMD H21. Marcado en la caja: H21. Número de terminales: 6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Vivienda (según ficha técnica): EMT6. Marcado en la caja: H9C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: *SMD SO6*. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 6. Nota: serigrafía/código SMD H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: INFI->PANAS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: Transistor unijunción UJT, hi-beta, lo-sat. Ganancia máxima de hFE: 1200. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) ZTX788. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.03V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX550. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX551. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corriente del colector: 300mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 240 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.23V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Costo): 30pF. Material semiconductor: silicio. FT: 175 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat) 0,9V. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(mín.): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.13V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) ZTX753. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX790. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat)0.92V. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.58W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(mín.): 45 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 6V