Transistores IGBT

Transistor IGBT. C(pulg): 9830pF. Costo): 570pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: IGBT de alta velocidad para conmutación de 20-50 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 310A. Ic (pulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcado en la caja: IXYK140N90C3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1630W. RoHS: sí. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 145 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Tensión puerta/emisor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SGH80N60UF. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 80A. Corriente máxima del colector (A): 220A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 195W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G30N60HS. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 122 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SGW25N120. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 46A. Corriente máxima del colector (A): 84A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 990 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 313W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G30N60. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 53 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 389 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): tubo de plástico. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G30N60HS. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 122 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 106 ns. Td(encendido): 16 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K30N60HS. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 106 ns. Td(encendido): 16 ns. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V

Transistor IGBT. C(pulg): 2870pF. Costo): 295pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcado en la caja: GW20NC60KD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 164 ns. Td(encendido): 46 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor IGBT. C(pulg): 8000pF. Costo): 280pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcado en la caja: GW60V60DF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. RoHS: sí. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 216 ns. Td(encendido): 57 ns. Vivienda: TO-247. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V