Transistores IGBT

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30S. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 34A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 540 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 68A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30UD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 23A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 91 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 92A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30U. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 23A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 91 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 92A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC40K. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 25A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 140 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 84A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC40S. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 60A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 650 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC40U. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 34 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC30FD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 31A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 42 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 230 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC30KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 28A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 58A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC30S. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 34A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 540 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 68A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC30UD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 23A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 91 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 92A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC40KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 42A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 53 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 84A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC40K. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 42A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 140 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 84A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC40UD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 54 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC40W. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC50FD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 55 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 240 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC50F. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 31 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 240 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PC50KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 52A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 63 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 104A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PF50W. Tensión colector-emisor Uce [V]: 900V. Corriente del colector Ic [A]: 51A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 29 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 29 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Corriente máxima del colector (A): 204A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PH20KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 11A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 22A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PH40K. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 30A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 60A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PH40UD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 46 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Corriente máxima del colector (A): 82A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. C(pulg): 825pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Corriente del colector: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Marcado en la caja: GB14C40L. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8.3 ns. Td(encendido): 1.35 ns. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 1.3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 2.2V. Número de terminales: 3. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: Resistencias integradas R1 G (75 ohmios), R2 GE (20 k ohmios). Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: sí

Transistor IGBT. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ). Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Número de terminales: 3. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 39N60BD1. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 76A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 152A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. C(pulg): 760pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Corriente del colector: 480A. Ic (pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1630W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 226 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Tensión puerta/emisor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS