Transistor de canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - PHP9NQ20T
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.09€ | 4.95€ |
| 5 - 9 | 3.88€ | 4.69€ |
| 10 - 24 | 3.68€ | 4.45€ |
| 25 - 49 | 3.47€ | 4.20€ |
| 50 - 99 | 3.39€ | 4.10€ |
| 100+ | 3.19€ | 3.86€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.09€ | 4.95€ |
| 5 - 9 | 3.88€ | 4.69€ |
| 10 - 24 | 3.68€ | 4.45€ |
| 25 - 49 | 3.47€ | 4.20€ |
| 50 - 99 | 3.39€ | 4.10€ |
| 100+ | 3.19€ | 3.86€ |
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Transistor de canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - PHP9NQ20T. Transistor de canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 8.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS SOT78. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 17:25.
Productos equivalentes :
IRF640
Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T...
Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
También recomendamos :
IRF9640
Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. V...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF640N
Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRLR024N
Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRFZ44N
Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF730
Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF740
Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 6.3A. DI ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF630
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Vi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRLR2905
Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
HD614042FH24
Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF540
Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 20A. DI (...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.